Вольтметр В3-54

В3-54

Милливольтметр В3-54

Также этот прибор может называться: В3 54, В354, Вз-5ч, v3-54, v3 54, v354, b3-54, b3 54, b354.

В3-54 милливольтметр предназначен для измерения среднеквадратического значения напряжения синусоидальной формы и для преобразования среднеквадратического значения напряжения синусоидальной формы в пропорциональное постоянное напряжение.

Милливольтметры В3-54 применяются в лабораториях и производственных условиях при контроле, регулировке и наладке различных радиотехнических приборов и средств связи, для определения частотных характеристик широкополосной аппаратуры и т. д.

Технические характеристики В3-54:

Диапазон измеряемых напряжений - от 0,1 мВ до 300 В.

Диапазон частот - от 20 Гц до 15 МГц.

Погрешность измерения:

- с делителем - 2,5%;

- на диапазоне от 45 Гц до 1 МГц - 4%;

- с делителем - не более 6%;

- на остальных частотах - не более 10%.

Входное сопротивление В3-54:

- без делителя - 4 МОм;

- с делителем - 1 МОм.

Входная емкость при напряжении от 1 В до 300 мВ:

- без делителя - 30 пФ;

- с делителем - 15 пФ.

Входное сопротивление - 1±0,1 кОм.

Входное напряжение В3-54, при подаче на вход переменного напряжения, равного конечному значению установленного поддиапазона - 1 В.

Параметры выхода широкополосного усилителя:

- номинальное выходное напряжение, при полном отклонении указателя - 100 мВ;

- выходное сопротивление - 50±5 Ом.

Габаритные размеры - 153×206×286 мм.

Масса - не более 5 кг.

Шкалы милливольтметра В3-54 проградуированы в среднеквадратических значениях синусоидального напряжения и в децибелах. Уровень 0 дБ соответствует - 0,775 В.

Имеет встроенный фильтр нижних частот, обеспечивающий повышенную помехозащищенность прибора от воздействия внешних электромагнитных полей при проведении низкочастотных измерений (не более 100 кГц).

К В3-54 придается внешний делитель напряжения (1:10) ДН-520, выполнений в виде пробника.

Имеется выход широкополосного усилителя для контроля формы измеряемого напряжения с помощью осциллографа.

Прибор выполнен полностью на полупроводниковых приборах и микросхемах.