Аттенюатор Аттенюатор Д2-44

Д2-44

Аттенюатор емкостной Д2-44

Также это изделие может называться: Д244, Д2 44, Д2-ЧЧ, Д2ЧЧ, Д2 ЧЧ, Д-244, Д 244, d2-44, d244, d2 44.

Д2-44 аттенюатор емкостной предназначен для расширения пределов измерения напряжений импульсных вольтметров при работе в лабораторных и цеховых условиях, а также в условиях стационарных и передвижных радиомастерских.

Сфера применения: проведение исследований, производство и обслуживание радиоэлектронной аппаратуры и ее отдельных узлов.

Аттенюаторы Д2-44 позволяют производить измерения при наличии поля ультравысоких частот.

Технические характеристики:

Верхние пределы измерения амплитудных значений напряжений - 1,5 кВ; 5 кВ.

Коэффициент деления в позициях 1,5 кВ; 5 кВ соответственно - 1:30; 1:100.

Погрешность коэффициентов деления Д2-44 - не более ±10%.

Неравномерность частотной характеристики фильтра:

- на частоте до 20 МГц - не более ±4 дБ;

- на частоте 50 МГц ослабление - не менее 20 дБ.

Неравномерность частотной характеристики аттенюатора Д2-44 при работе с вольтметром типа ВЛИ-2 или В4-2 при верхнем пределе 1,5 кВ на частотах от 300 Гц до 2000 кГц - не более ±5%.

Входная емкость - не более 20 пФ.

Габариты в сборе с фильтром - 125×154×205 мм.

Масса - не более 3,5 кг.

Для обеспечения работы Д2-44 при наличии поля высокой частоты в пространстве, окружающем его, к прибору придается фильтр, защищающий вход вольтметра от высокой частоты.

Условия эксплуатации:

Температура окружающего воздуха - от +10° С до +35° С.

Относительная влажность при температуре +20° С - 80%.

Аттенюаторы Д2-44 могут встраиваться в генераторы сигналов, измерительные приемники, измерители мощности и другие средства измерений для обеспечения развязки отдельных блоков приборов и получения калиброванного ослаблении сигналов.

Принцип действия Д2-44 основан на ослаблении проходящей по коаксиальной линии электромагнитной энергии при ее поглощении в элементах линии с активными сопротивлениями или делении ее с помощью емкостей.

В качестве поглощающих элементов используются поверхностные резисторы, толщина поглощающего слоя которых меньше глубины скин-эффекта.